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张雷
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
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论文成果
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Synchrotron radiation x-ray topography applied to nitride semiconductor crystals
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
第一作者:
张祁瑞
论文编号:
1794923048128266242
卷号:
135
期号:
18
字数:
5
是否译文:
否
发表时间:
2024-05-14
下一条:
Orbital-Morphology-Based Oxygen Reduction in a Correlated Oxide
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