Thermally Evaporated SiO Serving as Gate Dielectric in Graphene Field-Effect Transistors
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 全部作者：
- 张锡健,李玉香,陈秀芳,徐现刚,赵显,宋爱民
- 第一作者：
- 杨乐陶
- 论文编号：
- C378AC35A5AB4595ADA7AFF720512A91
- 卷号：
- 64
- 期号：
- 4
- 页面范围：
- 1846
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-04-01