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张栩朝. Laser operation of Nd3+-doped silicates (Gd, Y)2SiO5, (Lu, Y)2SiO5 and Lu2SiO5 at ~1.36 μm. 2020.
专利
镱离子掺杂ABGS晶体及自倍频超短脉冲激光器
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张栩朝
性别:男
在职信息: 在职
所在单位: 集成电路学院
入职时间: 2018-08-10
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