Affilication of Author(s):晶体材料研究所
Patent Applicant:chenxiufang,xuxiangang,zhaoxian
Type of Patent:发明
Application Number:2015103040467
Number of Inventors:3
Service Invention or Not:no
Application Date:2015-06-04
zhaoxian
Professor
山东大学教授、博士生导师，国家安全重大基础研究项目（GF973）首席科学家、JKW重大基础研究项目（GF173）首席科学家、国家科技奖励评审专家，JKW主题专家，山东省杰出青年基金获得者。长期从事与国防应用密切相关的光电功能晶体材料、新型器件及应用等方面的研究工作。先后主持科技部卡脖子项目JKW重大基础研究项目、国家安全重大基础研究项目、国家自然科学基金重大研究计划重点课题、973重大基础研究前期专项、国家自然科学基金面上项目、山东省重大科技创新工程项目等省部级... More+
Patents
一种基于原位Si气氛作用在大直径4H/6H-SiC硅面衬底外延生长石墨烯的方法
Release time:2019-04-16|Hits:
- Pre One:
- 一种硅酸钛钡高温压电晶体切型及应用
- Next One:
- 一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法