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左致远
教授
所属院部:
光学高等研究中心
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论文成果
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High Temperature CsPbBrxI3–x Memristors Based on Hybrid Electrical and Optical Resistive Switching Effects
所属单位:
光学高等研究中心
发表刊物:
ACS Applied Materials & Interfaces
第一作者:
左致远
论文编号:
694041A5EA1D4A8B8A1E75985A1114F0
期号:
49
字数:
5
是否译文:
否
发表时间:
2021-12-06
上一条:
Zuo Zhiyuan Multilevel halide perovskite memristors based on optical & electrical resistive switching effects
下一条:
Photo‐Enhanced Resistive Switching Effect in High‐Performance MAPbI3 Memristors
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