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山东大学
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左致远
教授
所属院部:
光学高等研究中心
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论文成果
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Zuo Zhiyuan Multilevel halide perovskite memristors based on optical & electrical resistive switching effects
所属单位:
光学高等研究中心
发表刊物:
Materials Chemistry and Physics
第一作者:
刘泽翰
论文编号:
AA502D6D1D9B4657909E55DC8F91FBB2
期号:
288-1
字数:
3
是否译文:
否
发表时间:
2022-09-01
上一条:
High-Performance and Environmentally Robust Multilevel Lead-Free Organotin Halide Perovskite Memristors
下一条:
High Temperature CsPbBrxI3–x Memristors Based on Hybrid Electrical and Optical Resistive Switching Effects
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