穆文祥

副教授

Crystal growth and design of Sn-doped β-Ga2O3: Morphology, defect and property studies of cylindrical crystal by EFG？method

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  CrystEngComm
• 第一作者：
  付博
• 论文编号：
  8205878595404EA98028D57A6E3EF4F1
• 期号：
  23
• 字数：
  5
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2021-10-11