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Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
Solid-State Electronics
第一作者：
陈思衡
论文编号：
1754450306790084609
卷号：
213
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2024-03-01
上一条：
Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer
下一条：
Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors
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