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论文成果
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Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：
罗鑫
论文编号：
1843556233512062977
卷号：
125
期号：
12
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2024-09-16
上一条：
High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 7.1 V
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Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing
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