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论文成果
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Temperature dependence of dynamic performance of SiC MOSFETs in a half-bridge configuration
所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
发表刊物：
MICROELECTRONICS JOURNAL
第一作者：
王天露
论文编号：
1915344292781383681
卷号：
160
字数：
7
是否译文：
否
发表时间：
2025-06-01
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The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode
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Investigation of 1.2kV Trench SiC MOSFETs Reverse Recovery Performance at High Temperature
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