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论文成果
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Investigation of 1.2kV Trench SiC MOSFETs Reverse Recovery Performance at High Temperature
所属单位：
新一代半导体材料研究院
第一作者：
王天露
论文编号：
1897581192143368193
页面范围：
179-183
字数：
3
是否译文：
否
发表时间：
2025-01-16
上一条：
Temperature dependence of dynamic performance of SiC MOSFETs in a half-bridge configuration
下一条：
The Principles and Applications of Electrical Characterization Techniques for Electrically Active Defects in 4H-SiC Devices
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