Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT
发布时间：2024-05-21
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- NANOTECHNOLOGY
- 第一作者：
- 郑帅英
- 论文编号：
- 1754450335667867649
- 卷号：
- 35
- 期号：
- 15
- 字数：
- 7
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-04-08