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Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT

发布时间:2024-05-22
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
NANOTECHNOLOGY
第一作者:
郑帅英
论文编号:
DFB94002A24C4981A267B49A56B9EC7A
卷号:
35
期号:
0
页面范围:
155203
字数:
7
是否译文:
发表时间:
2024-04-08