王守志
教授
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科研项目
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高质量GaN单晶衬底生长
发布时间：2025-09-06
  • 项目名称：
    高质量GaN单晶衬底生长
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 负责人姓名：
    王守志
  • 项目性质：
    横向
  • 项目编号：
    A7FE9D3738E44E2D9C7D0F825C24E487
  • 立项时间：
    2024-11-01
  • 计划完成时间：
    2032-12-31
  • 结项日期：
    2032-12-31
  • 开始日期：
    2024-11-01
  • 发布时间：
    2025-09-06
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