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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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A perovskite/porous GaN crystal hybrid structure for ultrahigh sensitivity ultraviolet photodetectors
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
第一作者：
李秋波
论文编号：
1539149102127833090
卷号：
10
期号：
21
页面范围：
8321-8328
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2022-04-01
上一条：
Vacancy-modified few-layered GaN crystal for novel high-temperature energy storage
下一条：
Construction of Novel Bimetallic Oxyphosphide as Advanced Anode for Potassium Ion Hybrid Capacitor
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