王守志
教授
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Vacancy-modified few-layered GaN crystal for novel high-temperature energy storage
发布时间：2023-07-12
  • 论文名称：
    Vacancy-modified few-layered GaN crystal for novel high-temperature energy storage
  • 发表刊物：
    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A
  • 卷号：
    10
  • 期号：
    41
  • 页面范围：
    22007-22015
  • 影响因子：
    11.9
  • DOI码：
    10.1039/d2ta04540k
  • ISSN号：
    2050-7488
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2022-09
  • 收录刊物：
    SCI
  • 发布时间：
    2023-07-12
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