登录
|
山东大学
|
English
王守志
研究员
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
次
论文成果
返回中文主页
Research progress in the postprocessing and application of GaN crystal
发表刊物:
CRYSTENGCOMM
卷号:
25
期号:
5
页面范围:
715-725
是否译文:
否
发表时间:
2023-01-01
收录刊物:
SCI
上一条:
基于钠助熔剂法的GaN 单晶生长研究进展
下一条:
Vacancy-modified few-layered GaN crystal for novel high-temperature energy storage
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部