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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Vacancy-modified few-layered GaN crystal for novel high-temperature energy storage
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
J. Mater. Chem. A.
第一作者：
吕松阳
论文编号：
6A324EE074934A8B9C390E71EE25AEFC
期号：
41
页面范围：
22007
是否译文：
否
发表时间：
2022-10-25
上一条：
Research progress in the postprocessing and application of GaN crystal
下一条：
Vacancy-modified few-layered GaN crystal for novel high-temperature energy storage
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