登录
|
山东大学
|
English
王守志
研究员
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
次
论文成果
返回中文主页
Thermal instability-induced formation of hierarchically structured porous GaN/nitrogen-doped carbon with high performance for supercapacitor
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
Journal of Energy Storage
第一作者:
Li, Zhan
论文编号:
1703664000135016450
卷号:
72
字数:
3
是否译文:
否
发表时间:
2023-11-20
上一条:
Research progress in the postprocessing and application of GaN crystal
下一条:
Gallium Nitride Based Electrode for High-Temperature Supercapacitors
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部