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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Research progress in the postprocessing and application of GaN crystal
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
Li, Qiubo
论文编号：
1622436945204133890
卷号：
25
期号：
5
页面范围：
715-725
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2023-01-01
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Novel semiconductor materials for advanced supercapacitors
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Thermal instability-induced formation of hierarchically structured porous GaN/nitrogen-doped carbon with high performance for supercapacitor
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