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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Studying the effect of temperature and pressure on GaN crystals via the Na-flux method
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
Wang, Benfa
论文编号：
1806576861990047745
卷号：
26
期号：
24
页面范围：
3176-3184
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2024-05-21
上一条：
Research Progress in Liquid Phase Growth of GaN Crystals
下一条：
Research Progress on the Growth of GaN Single Crystal by Sodium Flux Method 基于钠助熔剂法的 GaN 单晶生长研究进展
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