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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Research Progress on the Growth of GaN Single Crystal by Sodium Flux Method 基于钠助熔剂法的 GaN 单晶生长研究进展
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
《人工晶体学报》
第一作者：
Wang, Benfa
论文编号：
1655508827381383169
卷号：
52
期号：
2
页面范围：
183-195
字数：
9
是否译文：
否
发表时间：
2023-02-15
上一条：
Studying the effect of temperature and pressure on GaN crystals via the Na-flux method
下一条：
Optimizing HVPE flow field to achieve GaN crystal uniform growth
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