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王守志
研究员
所属院部：
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论文成果
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Effect of Air Layer Thickness on AlN Crystal Growth by the PVT Method
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CRYSTAL GROWTH & DESIGN
第一作者：
Cao, Wenhao
论文编号：
1794923071071109121
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2024-05-15
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Gallium Nitride Based Electrodefor High-Temperature Supercapacitor
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Wafer Scale Gallium Nitride Integrated Electrode Toward Robust High Temperature Energy Storage
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