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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Gallium Nitride Based Electrodefor High-Temperature Supercapacitor
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
Advanced Science
第一作者：
吕松阳
论文编号：
D80379F5670D4F6A9678DF86954C8257
卷号：
10
期号：
15
字数：
3
是否译文：
否
发表时间：
2023-03-25
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Efficient access to non-damaging GaN (0001) by inductively coupled plasma etching and chemical–mechanical polishing
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Effect of Air Layer Thickness on AlN Crystal Growth by the PVT Method
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