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王守志
教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Suitable AlN Source Shape for Optimizing Gas Mass Transfer During AlN Crystal Growth
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
CRYSTAL GROWTH & DESIGN
第一作者：
曹文豪
论文编号：
33084341CA4E4925B450246B4410A205
期号：
566
字数：
6000
是否译文：
否
发表时间：
2024-10-09
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Silicon Carbide Nanowire Based Integrated Electrode for High Temperature Supercapacitors
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Progress in GaN Single Crystals: HVPE Growth and Doping
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