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王守志
教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Progress in GaN Single Crystals: HVPE Growth and Doping
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Journal of Inorganic Materials
第一作者：
齐占国
论文编号：
424BCBC1F1174F7A985E8AF54F822BF2
卷号：
38
期号：
3
页面范围：
243
字数：
6000
是否译文：
否
发表时间：
2023-03-20
上一条：
Suitable AlN Source Shape for Optimizing Gas Mass Transfer During AlN Crystal Growth
下一条：
Efficient access to non-damaging GaN (0001) by inductively coupled plasma etching and chemical–mechanical polishing
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