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王守志
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Regulation Active Sites of Porous GaN Crystal Via Mn3O4 Nanosheets for Advanced High Temperature Energy Storage
发布时间:2025-09-09
所属单位:
晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
论文名称:
Regulation Active Sites of Porous GaN Crystal Via Mn3O4 Nanosheets for Advanced High Temperature Energy Storage
发表刊物:
Energy & Environmental Materials
第一作者:
Songyang Lv
论文编号:
9048BFC0E3B549A18F3D08E959A1E89E
期号:
8
字数:
5000
是否译文:
否
发表时间:
2025-01
发布时间:
2025-09-09
上一条:
Silicon Carbide Single Crystal for High-Temperature supercapacitors
下一条:
Silicon Carbide Nanowire Based Integrated Electrode for High Temperature Supercapacitors
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