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王守志
教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
次
论文成果
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Silicon Carbide Single Crystal for High-Temperature supercapacitors
发布时间:2025-10-02
所属单位:
新一代半导体材料研究院
论文名称:
Silicon Carbide Single Crystal for High-Temperature supercapacitors
发表刊物:
Nanoscale
第一作者:
梁昶
论文编号:
B594BF02BBCF43F5AF5219DAB7921040
期号:
16
字数:
3
是否译文:
否
发表时间:
2024-03
发布时间:
2025-10-02
下一条:
Regulation Active Sites of Porous GaN Crystal Via Mn3O4 Nanosheets for Advanced High Temperature Energy Storage
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