论文成果
Ultrathin-Body TiO2 Thin Film Transistors With Record On-Current Density, ON/OFF Current Ratio, and Subthreshold Swing via O2 Annealing
  • 发表刊物:
    IEEE Electron Device Letters
  • 全部作者:
    Maria Gabriela Sales,Guangyang Lin,Peng Cui,Paul Pepin,John M Vohs,Stephen Mcdonnell
  • 第一作者:
    Jie Zhang
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 卷号:
    40
  • 期号:
    9
  • 页面范围:
    1463
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2019-07-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:High performance anatase-TiO2 thin film transistors with a two-step oxidized TiO2 channel and plasma enhanced atomic layer-deposited ZrO2 gate dielectric

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