专利
提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法
  • 授权号:
    ZL 2021 1 1558290.8
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2021-12-20
  • 授权日期:
    2024-02-02

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