专利
基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管
发布时间：2024-08-22
-
所属单位：
新一代半导体材料研究院
-
专利类型：
发明
-
申请号：
202410559014.0
-
发明人数：
4
-
是否职务专利：
否
-
申请日期：
2024-05-08
-
公开日期：
2024-08-06
-
授权日期：
2024-08-06
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
