Title: : 提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法
Affilication of Author(s): : 新一代半导体材料研究院
Type of Patent: : 发明
Application Number: : 202111558290.8
Number of Inventors: : 4
Service Invention or Not: : no
Application Date: : 2021-12-20
Publication Date: : 2024-02-02
Authorization Date: : 2024-02-02
Gender : Male
School/Department : 新一代半导体材料研究院
Date of Employment : 2020-11-15
The Last Update Time : ..
