所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：Temperature dependence of dynamic performance of SiC MOSFETs in a half-bridge configuration
发表刊物：MICROELECTRONICS JOURNAL
第一作者：王天露
论文编号：1915344292781383681
卷号：160
字数：7
是否译文：否
发表时间：2025-06-01
发表时间：2025-06-01