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个人信息

韩吉胜

教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男

科学研究

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Wang, Xinyu. Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode.Results in Physics.2024(62 (2024) 107799):1
张斌. The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode.IEEE Transactions on Electron Devices.2024(1)
王天露. Temperature dependence of dynamic performance of SiC MOSFETs in a half-bridge configuration.MICROELECTRONICS JOURNAL.2025,160
王天露. Investigation of 1.2kV Trench SiC MOSFETs Reverse Recovery Performance at High Temperature.2025:179-183
王新宇. Simulation and fabrication of 4H-SiC SBD with main P-epilayer island termination.MICROELECTRONICS JOURNAL.2025(161):106732

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Semiconducting Polymer Materials for Biosensing Applications

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