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韩吉胜
教师姓名:韩吉胜
教师拼音名称:hanjisheng
入职时间:2020-11-15
所在单位:新一代半导体材料研究院
性别:男
科学研究
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科学研究
研究领域
暂无内容
论文成果
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王新宇. Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode.IEEE Electron Device Letters.2024
胡秀飞. Growth of 2-inch diamond films on 4H–SiC substrate by microwave plasma CVD for enhanced thermal performance.VACUUM.2023,211
陈思衡. Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing.Solid-State Electronics.2024,213
罗鑫. Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors.Journal of Physics and Chemistry of Solids.2024,187
张斌. The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode.IEEE Transactions on Electron Devices.2024(1)
专利
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一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法
一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法
基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法
著作成果
Semiconducting Polymer Materials for Biosensing Applications
科研项目
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高质量低成本8 英寸碳化硅材料与器件应用研究, 2022-11-01-2025-12-31
SiC多层外延生长技术开发, 2023-10-01-2023-12-31
2023-韩吉胜-HJJH, 2023-11-01-2028-10-31
SiC表面氧化技术合作项目, 2023-04-03-2023-11-30
Y-碳化硅基MOSFET及滤波器制备与关键工艺开发, 2022-06-28-2023-12-31
科研团队
暂无内容