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韩吉胜


教师姓名:韩吉胜
教师拼音名称:hanjisheng
入职时间:2020-11-15
所在单位:新一代半导体材料研究院
性别:男

专利

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集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件

发布时间:2024-07-02 | 点击次数:

所属单位:新一代半导体材料研究院

专利类型:发明

申请号:202410423858.2

发明人数:4

是否职务专利:

申请日期:2024-04-10

公开日期:2024-06-11

授权日期:2024-06-11