教师姓名:韩吉胜 教师拼音名称:hanjisheng 入职时间:2020-11-15 所在单位:新一代半导体材料研究院 性别:男
所属单位:新一代半导体材料研究院 专利类型:发明 申请号:202410619712.5 发明人数:4 是否职务专利:否 申请日期:2024-05-20 公开日期:2024-08-20 授权日期:2024-08-20 申请日期: 2024-05-20 公开日期: 2024-08-20 授权日期: 2024-08-20
上一条:一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
下一条:一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法