教师姓名：韩吉胜 教师拼音名称：hanjisheng 入职时间：2020-11-15 所在单位：新一代半导体材料研究院 性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202510857652.5
发明人数：3
是否职务专利：否
申请日期：2025-06-25
公开日期：2025-08-26
授权日期：2025-08-26
下一条：一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构
