Reduction of the ambient effect in multilayer InSe transistors and a strategy toward stable 2D-based optoelectronic applications
发布时间：2024-04-17 点击数：
论文名称：Reduction of the ambient effect in multilayer InSe transistors and a strategy toward stable 2D-based optoelectronic applications
发表刊物：Nanoscale
第一作者：Yanhao Wang
通讯作者： Yu Zhang*, Lin Han*,Hong Liu*
全部作者： Yakun Gao, Chao Wang, Yingkuan Han, Bin Wei,Jianwei Gao
论文类型：期刊论文
卷号：12
期号：35
页面范围：18356-18362
是否译文：否
发表时间：2020-09