Construction of high field-effect mobility multilayer MoS2 Field-effect transistors with excellent stability through interface engineering
发布时间：2024-04-17 点击数：
论文名称：Construction of high field-effect mobility multilayer MoS2 Field-effect transistors with excellent stability through interface engineering
发表刊物：ACS Applied Electronic Materials
第一作者：Jianfeng Jiang
通讯作者： Lin Han*,Hong Liu*
全部作者： Xianjin Feng, Yuanhua Sang, Jinbo Pang, Hao Ji, Jiazhi Duan, Aizhu Wang,Yu Zhang
论文类型：期刊论文
卷号：2
期号：7
页面范围：2132-2140
是否译文：否
发表时间：2020-06