Energetic and electronic properties of X- (Si, Ge, Sn, Pb) doped TiO2 from first-principles
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Energetic and electronic properties of X- (Si, Ge, Sn, Pb) doped TiO2 from first-principles
发表刊物：Physical chemistry chemical physics
第一作者：戴瑛
全部作者：黄柏标
论文类型：基础研究
论文编号：lw-88895
卷号：11
期号：37
页面范围：8165
是否译文：否
发表时间：2009-07