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Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.

发布时间：2019-04-14 点击数：

所属单位：物理学院

论文名称：Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.

发表刊物：NANOSCALE

第一作者：戴瑛

全部作者：俞琳,黄柏标

论文类型：基础研究

论文编号：lw-173779

卷号：8

页面范围：1352

是否译文：否

发表时间：2016-01

上一条： Energy transfer in plasmonic photocatalytic composites

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黄柏标 (教授)

Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.