Origin of d(0) magnetism in II-VI and III-V semiconductors by substitutional doping at anion site
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Origin of d(0) magnetism in II-VI and III-V semiconductors by substitutional doping at anion site
发表刊物：Physical review B
第一作者：戴瑛
全部作者：黄柏标,戴瑛
论文编号：lw-105144
卷号：81
期号：12
页面范围：125211
字数：5
是否译文：否
发表时间：2010-04