Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.
发表刊物：NANOSCALE
第一作者：戴瑛
全部作者：俞琳,黄柏标
论文类型：基础研究
论文编号：lw-173779
卷号：8
页面范围：1352
是否译文：否
发表时间：2016-01