Energetic and electronic properties of X- (Si, Ge, Sn, Pb) doped TiO2 from first-principles
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Energetic and electronic properties of X- (Si, Ge, Sn, Pb) doped TiO2 from first-principles
发表刊物：Physical chemistry chemical physics
第一作者：戴瑛
全部作者：黄柏标,戴瑛
论文编号：lw-88895
卷号：11
期号：37
页面范围：8165
字数：6
是否译文：否
发表时间：2009-07