Tunable Schottky contacts in MSe2/NbSe2 (M = Mo and W) heterostructures and promising application potential in field-effect transistors
发布时间：2019-10-25 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Tunable Schottky contacts in MSe2/NbSe2 (M = Mo and W) heterostructures and promising application potential in field-effect transistors
发表刊物：Physical chemistry chemical physics
第一作者：吕兴帅
全部作者：魏巍,黄柏标,戴瑛
论文编号：C16D0CDCADC84B67BA63D61715CB7441
卷号：20
期号：3
页面范围：1897
字数：5
是否译文：否
发表时间：2018-01