Tunable Schottky contacts in MSe2/NbSe2 (M = Mo and W) heterostructures and promising application potential in field-effect transistors
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所属单位：物理学院
发表刊物：Physical chemistry chemical physics
全部作者：魏巍,黄柏标,戴瑛
第一作者：吕兴帅
论文类型：基础研究
论文编号：C16D0CDCADC84B67BA63D61715CB7441
卷号：20
期号：3
页面范围：1897
是否译文：否
发表时间：2018-01-21
发表时间：2018-01-21