Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：NANOSCALE
全部作者：戴瑛,黄柏标,俞琳
第一作者：戴瑛
论文编号：lw-173779
卷号：8
页面范围：1352
字数：4
是否译文：否
发表时间：2016-01-07
发表时间：2016-01-07
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
出生日期：1962-10-21
毕业院校：山东大学
学历：硕士研究生毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：1986-07-01
学科：物理化学
无机化学
材料物理与化学
材料学
电子邮箱：bbhuang@sdu.edu.cn
Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.
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所属单位：物理学院
发表刊物：NANOSCALE
全部作者：戴瑛,黄柏标,俞琳
第一作者：戴瑛
论文编号：lw-173779
卷号：8
页面范围：1352
字数：4
是否译文：否
发表时间：2016-01-07
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