Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.
发布时间：2019-10-25 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Interface Schottky barrier engineering via strain in metal-semiconductor composites.
发表刊物：NANOSCALE
第一作者：戴瑛
全部作者：黄柏标,俞琳,戴瑛
论文编号：lw-173779
卷号：8
页面范围：1352
字数：4
是否译文：否
发表时间：2016-01