Hydrogen Doped Metal Oxide Semiconductors with Exceptional and Tunable Localized Surface Plasmon Resonances
发布时间：2020-06-06 点击数：
所属单位：晶体材料研究所
论文名称：Hydrogen Doped Metal Oxide Semiconductors with Exceptional and Tunable Localized Surface Plasmon Resonances
发表刊物：J. Am. Chem. Soc.
第一作者：程合锋
全部作者：戴瑛
论文类型：基础研究
论文编号：31AAB4E1D0A44742B94C053EEAA29726
卷号：138
页面范围：9316
是否译文：否
发表时间：2016-07