Hydrogen Doped Metal Oxide Semiconductors with Exceptional and Tunable Localized Surface Plasmon Resonances
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所属单位：晶体材料研究所
发表刊物：J. Am. Chem. Soc.
全部作者：戴瑛
第一作者：程合锋
论文类型：基础研究
论文编号：31AAB4E1D0A44742B94C053EEAA29726
卷号：138
页面范围：9316
是否译文：否
发表时间：2016-07-06
发表时间：2016-07-06