Quantum anomalous Hall effect and gate-controllable topological phase transition in layered EuCd2As2
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：PHYSICAL REVIEW B
第一作者：牛成旺
论文编号：8357AF3B189D4FA9A4B386DD93871A80
卷号：99
期号：23
字数：5
是否译文：否
发表时间：2019-06-10
发表时间：2019-06-10
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
出生日期：1962-10-21
毕业院校：山东大学
学历：硕士研究生毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：1986-07-01
学科：物理化学
无机化学
材料物理与化学
材料学
电子邮箱：bbhuang@sdu.edu.cn
Quantum anomalous Hall effect and gate-controllable topological phase transition in layered EuCd2As2
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所属单位：物理学院
发表刊物：PHYSICAL REVIEW B
第一作者：牛成旺
论文编号：8357AF3B189D4FA9A4B386DD93871A80
卷号：99
期号：23
字数：5
是否译文：否
发表时间：2019-06-10
发表时间：2019-06-10