Single-Layer Ag2S: A Two-Dimensional Bidirectional Auxetic Semiconductor
点击次数:
所属单位:物理学院
发表刊物:Nano Letters
第一作者:彭瑞
论文编号:737C2DDD69EF4F71A370B28C6AD57DA0
卷号:19
期号:2
页面范围:1227
字数:4000
是否译文:否
发表时间:2019-02-01
发表时间:2019-02-01
Single-Layer Ag2S: A Two-Dimensional Bidirectional Auxetic Semiconductor
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所属单位:物理学院
发表刊物:Nano Letters
第一作者:彭瑞
论文编号:737C2DDD69EF4F71A370B28C6AD57DA0
卷号:19
期号:2
页面范围:1227
字数:4000
是否译文:否
发表时间:2019-02-01
发表时间:2019-02-01