Self-doped p-n junctions in two-dimensional In2X3 van der Waals materials
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：MATERIALS HORIZONS
第一作者：彭瑞
论文编号：7D6C8457364D420DAAAF9946C2D84141
卷号：7
期号：2
页面范围：504
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2020-02-01
发表时间：2020-02-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
出生日期：1962-10-21
毕业院校：山东大学
学历：硕士研究生毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：1986-07-01
学科：物理化学
无机化学
材料物理与化学
材料学
电子邮箱：bbhuang@sdu.edu.cn
Self-doped p-n junctions in two-dimensional In2X3 van der Waals materials
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：MATERIALS HORIZONS
第一作者：彭瑞
论文编号：7D6C8457364D420DAAAF9946C2D84141
卷号：7
期号：2
页面范围：504
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2020-02-01
发表时间：2020-02-01